取扱製品




●φ2”GaN自立基板
●φ2”・φ4”GaNテンプレート
●10×10.5テストウェハー
●アズスライスウェハー






■GaN Substrate Standard Specification

2inch Free-Standing GaN Substrate Specification
Diameter 50.8mm±1.0mm
Thickness 350.0μm±25.0μm 
Useable Area >90%
Orientation C-Plane(0001)±1°
Orientation Flat 〈1-100〉±0.5°
Primary Flat Length 16.0mm±1.0mm
Secondary Orientation Flat 〈11-20〉±3°
Secondary Flat Length 8.0mm±1.0mm
TTV/Bow ≦15μm/≦20μm
Conduction Type N-type(Undoped) Semi-Insulating
Resistivity <0.5Ω・cm >106Ω・cm
Dislocation Density(300K) Less Than 5×105cm-2
Polishing Front Surface:Ra≦0.2nm.Epi-ready Polished
Back Surface:Fine ground

※小さなサイズ(10×10.5?等)もございますのでお問い合わせ下さい。

4inch GaN Templates
Diameter 100.0mm±0.1mm
Thickness 4μm、10〜25μm
Orientation C-Plane(0001)±0.5°
Conduction Type N-type(Undoped)
Resistivity <0.5Ω・cm
Dislocation Density(300K) Less Than 5×108cm-2
Substrate structure GaN/Sapphire(0001)
Useable Area >90%
Polishing Standard:SSP
Option:DSP



2inch GaN Templates
Diameter 50.8mm±0.1mm
Conduction Type N-type(Undoped) N-type(Si-doped) P-type(Mg-doped)
Thickness 4μm、10〜25μm 4μm
Resistivity <0.5Ω・cm <0.05Ω・cm 〜10Ω・cm
Orientation C-Plane(0001)±0.5°
Dislocation Density(300K) Less Than 5×108cm-2
Substrate structure GaN/Sapphire(0001)
Useable Area >90%
Polishing Standard:SSP
Option:DSP

※各素材の数値は基本スペックです。その他スペックについては、気軽にお問合せください。


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